[微電子學、集成電路]:科技大學）//光學技術。一2001，27（4）。―348-349，351對雙CCD交匯坐標測量的數學模型進行了誤差分析，提出了最優結構參數的條件。通過計算機仿真的方法，對兩CCD交匯測的結構參數進行了...

科技大學）//光學技術。一2001，27（4）。―348-349，351對雙CCD交匯坐標測量的數學模型進行了誤差分析，提出了最優結構參數的條件。通過計算機仿真的方法，對兩CCD交匯測的結構參數進行了優化設計，得出了在不同靶面尺寸時的優化結果。從理論上證明了在雙CCD交匯坐標測盤時“光軸正交交匯”的結論。表1參9（木）低電壓C類SiGe微波功率異質結雙極型晶體管/賈宏陪，陳培毅，錢佩信，潘宏菽，黃杰，楊增敏，李明月（清華大學微電子所）//半導體給出了低電壓微波SiGe功率異質結雙極型晶體管（HBT）的器件結構和測試結果。器件結構適于低壓大電流狀態下應用。采用了梳狀發射極條的橫向版圖設計，其工作電壓為3*4V.在C類工作狀態，1GHz的工作頻率下，輸出功率可以達到1.65W，具有8dB的增益*3V時可以達到的最高收集極效率為67.8 %參5（木）8、微電子學、集成電路納米電子學研究與展望/溫殿忠，李國棟，趙曉鋒（黑龍江大學）黑龍江大學自然科學學報。一2001，18（3）。―59-64在闡述納米科學技術概念、意義和內涵的基礎上，著重展望了21世紀納米電子學研究與發展的幾個主要領域和發展前景。表1參44（木）存儲芯片層次化分割P/G網等效電阻求解算法/竺紅衛，嚴曉浪，孫玲玲，馬琪（浙江大學信電系）//電路與系統學報+―由于存儲芯片版圖P/G網規模的巨大，對于計算電阻網絡中節點間等效電阻問題。直接利用常規線性方程組求解算法無法同時滿足內存空間與運行時間上的限制。針對版圖線網網絡關聯密集度不均衡的特點，文中提出了一種層次化網絡分割算法，將全局網絡按層次分割成可求解子網，并利用等效子網算法實現多觀測點快速計算。表1參6（金）種改進的高層功耗估計方法/楊軍，龍興，胡晨，史又華（東南大學國家專用集成電路系統工程技術研究中心）電路與系統學報。一2001，6（4）。*38-文中討論了集成電路高層功耗估計方法，并針對線性位相關系數模型提出了一種更為精確的功耗估計方法，它可用于功耗驅動的VLSI高層綜合。實驗結果表明當信號為有限參數的平穩時間序列時，這種估計方法比原有用信號的相關系數來代替強相關位相關系數的方法具有較高的精度，從而提高了在VLSI高層設計時對模塊功耗估計的精度。表3參5（金）基于25/xm工藝的層次式時間驅動的版圖設計/韓曉霞，張明，吳萬里，姚慶棟（浙江大學）丨丨電路與系統學報。一集成電路（1C）發展到了系統芯片（SOC）時代。超深亞微米系統芯片具有規模大。復雜度高、系統時鐘頻率快的特點，傳統的設計流程由于設計規模有限和時序難以收斂等原因，已難以適用于系統芯片的設計；常用的展平起標量。趄流水線定點RISC核設計/韋健，張明，周瓊芳，遇巖，姚慶棟（浙江大學）》電路與系統學報。一2001，6（4）。

-56-60文中從開發指令級并行度ILP的角度出發，分析了超標超流水線處理器的體系結構特點，在此基礎上給出了一個定點趄標RISC核設計。該設計采用Top-down設計方法，含三個流水執行單元，指令動態調度，實現非阻塞高速緩存non-blocking-caches機制。參3（金）SSN研究及其在VLSI設計流程中的應用/徐棟麟，郭新偉，徐志偉，林越，任俊彥（復旦大學專用集成電路與系統國家重點實驗室電子學報。一2001，29（11）。―1471-1474詳述了同步開關噪聲（SSN）影響VLSI電路可靡性的一個主耍因索；芯片-封裝界面的寄生電感。根據在芯片中插入電源/地線引腳，減小芯片-封裝界面的寄生電感的思想，提出一種簡便有效的基于SSN性能的輸出驅動器優化布局方法并將之集成到VLSI設計流程中。用0.6微米CMOS工藝進行了驗證。結果表明>該優化設計可有效降低SSN對VLSI電路可靠性的影響表2參6（金）一種快速的三維VLSI互連電容提取方法：虛擬多介質方法/喻文健，王澤毅，侯勁松（清華大學計算機科學與技術系）《電子學報。

文中提出了一種基于直接邊界元方法的虛擬多介質（Quasi-MultipleMedium，QMM）加速方法，并將它應用于三維VLSI多介質互連電容的計算中。QMM方法將三維互連電容器中的單層介質看成由多個虛擬介質組成，從而大大減少了系數矩陣中的非零元數目，最終使計算時間和存儲空間顯著減少。通過比較QMM算法與非QMM算法，以及商業軟件Raphael對實際三維互連結構的計算，結果表明QMM算畢在保持計算準確性的同時，可使電容提取的效率得到顯著提高。表3參12（金）平面結場板結構表面場分布的二維解析/何進，張興，黃如，王陽元（北京大學微電子所）》半導體學報。一2001，22（7）。915-918提出了基于二維泊松方程解的平面結場板結構的二維表面電場解析物理模型。在該模型基礎上，分析了襯底摻雜濃度、場板厚度和長度對二維表面場分布的影響。解析預言的場分布與擊穿電壓的計算結果與先前的數值分析基本符合。該模型為場板結構的優化設計提供了理論基礎。

參11（木）紋膜結構微麥克風的動態特性：使用EDA/GAD工具進行Top-down設計/陳兢，劉理天，李志堅（華大學微電子所綜合使用通用電路模擬軟件PSPICE和有限元分析軟件ANSYS對一種硅S微麥克風進行了系統模擬。得到了各項參數的優化值，優化后的微麥克風在音頻范圍內具有平直的響應。在此基礎上，提出了一種Top-down的優化設計方式以準確預測系統的行為，分析了各組件的相互作用及其對系統性能的影響。表2參9（木）射頻微電子機械系統的發展與展望/袁明文（河北半導體所）》半導體介紹了射頻微電子機械系統（RFMEMS）的最新進展、研究內容及應用前最。該系統裝置包括開關、繼電器、電容器、電感器、濾波器及微波和級米波元件。2參22（午）SOC的現狀與發展/吳洪江，鄭濱（電子部13所）"半導體情報。