[安森美半導體發布超高電源抑制比LDO穩壓器]:6月5日，安森美半導體發布了一系列新的超低噪聲低壓降穩壓器(LDO)，具有業界最佳的電源抑制比(PSRR)，能在噪聲敏感的模擬設計中實現更好的性能。新的NCP16x系列，連同其汽車變體器件同時符合AE...

6月5日，安森美半導體發布了一系列新的超低噪聲低壓降穩壓器(LDO)，具有業界最佳的電源抑制比(PSRR)，能在噪聲敏感的模擬設計中實現更好的性能。新的NCP16x系列，連同其汽車變體器件同時符合AEC-Q100車規的NCV81x，在各類應用中提供更好的性能，如汽車先進駕駛輔助系統(ADAS)圖像傳感器模塊、便攜式設備和包括802.11ad WiGig、藍牙和WLAN的無線應用。

NCP16x系列包括四個輸入電壓范圍從1.9到5.5伏特(V)的器件以支持各種不同的終端應用。輸出電流250毫安(mA)、450mA和700mA，采用相同封裝，使設計易于擴展。98分貝(dB)的超高PSRR阻止不想要的電源噪聲到達敏感的模擬電路，而6.5微伏(uV)均方根的超低噪聲無需額外的輸出電容。

新的LDO穩壓器具有80毫伏(mV)的低壓降，支持和幫助延長電池供電的終端產品的使用壽命。空載靜態電流僅為12微安培(uA)，進一步增強此特性。這些器件可提供1.2V至5.3V的固定輸出電壓，在整個應用范圍內的精確度為+/-2%。僅1uF的輸入輸出電容實現穩定的工作，能降低系統成本和體積。