[晶體硅的制備方法（一）]:單晶硅材料是非常中藥店晶體硅材料，根據生長方式的不同，可以分為區熔單晶硅和直拉單晶硅。區熔單晶硅主要應用于大功率器件方面，只占單晶硅市場很小的一部分，在國際市場上約占10%左右；而直拉單晶硅主要應用于...

　　單晶硅材料是非常中藥店晶體硅材料，根據生長方式的不同，可以分為區熔單晶硅和直拉單晶硅。區熔單晶硅主要應用于大功率器件方面，只占單晶硅市場很小的一部分，在國際市場上約占10%左右；而直拉單晶硅主要應用于微電子 和 電池方面，是單晶硅的主題。與區熔單晶硅相比，直拉單晶硅的制造成本相對較低，機械強度較高，易制備大直徑單晶。所以， 領域主要應用直拉單晶硅，而不是區熔單晶硅。

　　首先將高純多晶硅粉碎至適當的大小，并在硝酸和氫氟酸的混合酸液中清洗外表面，以去可能的金屬雜質，然后放入高純的石英坩堝中。在裝料完成后，將坩堝放入單晶爐中，然后將單晶爐抽成一定真空，再沖入一定流量和壓力的保護氣，最后給爐體加熱升溫，加熱溫度超過硅材料的熔點，使其熔化。

　　多晶硅熔化后，保溫一段時間，是熔硅的溫度和流動達到穩定，然后進行晶體生長。在晶體生長時，首先將單晶籽晶固定在旋轉的籽晶軸上，然后將籽晶緩慢下降，距液面數毫米處暫停片刻，使籽晶溫度盡量接近熔硅溫度，以減少可能的熱沖擊；接著將籽晶輕輕浸入熔硅，使頭部首先少量溶解，然后和熔硅形成一個固液界面；隨后，籽晶逐步上升，與籽晶相連并離開固液界面的硅溫度降低，形成單晶硅，此階段成為“種晶”。

　　種晶完成后，籽晶將快速向上提升，晶體生長速度加快，新結晶的單晶硅的直徑將比籽晶的直徑小，可達3mm左右，其長度約為此時晶體直徑的6-10倍，成為“縮頸”階段。

　　在“縮頸”完成后，晶體硅的生長速度大大放慢，此時晶體硅的直徑急速增大，從籽晶的直徑增大到所需的直徑，形成一個近108°的夾角，此階段成為“放肩”。

　　當放肩達到的預定晶體直徑時，晶體生長速度加快，并保持幾乎固定的速度，使晶體保持固定的直徑生長。此階段成為“等徑”。

　　在晶體生長結束時，晶體硅的生長速度再次加快，同時升高硅熔體的溫度，使得晶體硅的直徑不斷縮小，形成一個圓錐形，最終晶體硅離開液面，單晶硅生長完成，最后的這個階段稱為“收尾”。